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紫光國芯:高性能第四代DRAM存儲器芯片明年面市

發(fā)布時間:2017-11-24 15:34:16點擊率:

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近日,紫光國芯在接受信達證券等機構(gòu)調(diào)研時表示,前三季度雖然增長速度較快,但由于毛利率較低,拉低了整體利潤。此外,公司加大了研發(fā)投入,研發(fā)費用同比增長較快。同時所得稅和匯兌損益同比也有較大增長,對公司本期利潤產(chǎn)生了不利影響。


四季度以來,去年業(yè)績下滑較大的智能芯片業(yè)務逐步好轉(zhuǎn),呈現(xiàn)良好的發(fā)展勢頭,對公司全年業(yè)績會有有利的貢獻。另外,西安紫光國芯擁有市場稀缺的DRAM設(shè)計團隊,正在進行“高性能第四代DRAM存儲器芯片產(chǎn)品”的研發(fā),第四代產(chǎn)品容量更大、集成度更高、讀寫速度更快,預計明年開始進入市場。


展訊的產(chǎn)品與本公司的產(chǎn)品的應用領(lǐng)域和客戶都不同,不存在競爭關(guān)系,另外也沒有顯著的協(xié)同關(guān)系,目前沒有注入本公司的計劃。

     

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